Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide

Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: SMPS S-L. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 14. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUL45D2G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 65W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 1.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-218. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUP313. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 32A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 530 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 64A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 200V. Courant de collecteur: 70A. Puissance: 350W. Boîtier: TO-3

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 32W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Tf 170ns

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 23W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, haute vitesse

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Fonction: S-L, SN. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 55W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV20. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 125V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Tf(max): 150 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Vebo: 7V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 15A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui