Transistors

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ISOWATT-218. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508DFI. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 7 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-SN. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 62W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 480V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/ 200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: transistor Darlington. Haute tension et commutation rapide. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FH. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220FH

Transistor. Résistance BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Résistance BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 62W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 60...230, boîtier plastique isolé. Spec info: temps de descente 0.8us. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU941ZP. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 350V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 155W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 65W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Remarque: >300. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: temps de descente 625ns. Gain hFE maxi: 3400. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 10A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: HV-POWER

Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'High Voltage Multi Epitaxial Planar technology'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 7. Courant de collecteur: 14A. Ic(puls): 18A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-ISO. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 22A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218 ( SOT93 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 9. Gain hFE mini: 2.5. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 44W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 6. Gain hFE mini: 4. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Tf (type): 190 ns. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 57W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Remarque: MONITOR. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 50V. Remarque: niveau logique. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 750pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 20uA. Idss (min): 2uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2230pF. C (out): 510pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 166W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 118W. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 440pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 0.05uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT-78 ( TO220AB ). Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Fonction: automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, commutation rapide. Spec info: TO-220. Diode BE: non. Diode CE: oui