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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistors

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Quantité en stock : 1321
IRF3710PBF

IRF3710PBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
IRF3710PBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF3710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF3710PBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF3710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
3.45€ TTC
(2.85€ HT)
3.45€
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IRF3710S

IRF3710S

Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
IRF3710S
Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF3710S
Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
3.82€ TTC
(3.16€ HT)
3.82€
Quantité en stock : 280
IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé ...
IRF3710SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3710S. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF3710SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3710S. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
4.83€ TTC
(3.99€ HT)
4.83€
Quantité en stock : 1
IRF3711

IRF3711

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): ...
IRF3711
Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 110A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.047 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 20V. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 17ns
IRF3711
Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 110A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.047 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 20V. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 17ns
Lot de 1
3.78€ TTC
(3.12€ HT)
3.78€
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IRF3711S

IRF3711S

Transistor. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner...
IRF3711S
Transistor. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non
IRF3711S
Transistor. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non
Lot de 1
2.66€ TTC
(2.20€ HT)
2.66€
Quantité en stock : 4
IRF3711ZS

IRF3711ZS

Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
IRF3711ZS
Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Buck synchrone haute fréquence. Id(imp): 380A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. Protection G-S: non
IRF3711ZS
Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Buck synchrone haute fréquence. Id(imp): 380A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. Protection G-S: non
Lot de 1
3.25€ TTC
(2.69€ HT)
3.25€
Quantité en stock : 139
IRF3808

IRF3808

Transistor. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Un...
IRF3808
Transistor. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF3808
Transistor. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
4.13€ TTC
(3.41€ HT)
4.13€
En rupture de stock
IRF450

IRF450

Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
IRF450
Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.75A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204A ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF450
Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.75A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204A ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
28.02€ TTC
(23.16€ HT)
28.02€
Quantité en stock : 159
IRF4905

IRF4905

Transistor. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner...
IRF4905
Transistor. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 74A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF4905
Transistor. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 74A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
3.22€ TTC
(2.66€ HT)
3.22€
Quantité en stock : 4584
IRF4905PBF

IRF4905PBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
IRF4905PBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF4905. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Boîtier (norme JEDEC): 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF4905PBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF4905. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Boîtier (norme JEDEC): 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
2.20€ TTC
(1.82€ HT)
2.20€
Quantité en stock : 1062
IRF4905SPBF

IRF4905SPBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé ...
IRF4905SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF4905SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.13€ TTC
(2.59€ HT)
3.13€
Quantité en stock : 1397
IRF4905STRLPBF

IRF4905STRLPBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé ...
IRF4905STRLPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF4905STRLPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
2.13€ TTC
(1.76€ HT)
2.13€
Quantité en stock : 177
IRF510

IRF510

Transistor. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. QuantitÃ...
IRF510
Transistor. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF510
Transistor. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
1.22€ TTC
(1.01€ HT)
1.22€
Quantité en stock : 669
IRF510PBF

IRF510PBF

Transistor. Marquage du fabricant: IRF510PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [...
IRF510PBF
Transistor. Marquage du fabricant: IRF510PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 5.6A. Puissance: 43W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 100V
IRF510PBF
Transistor. Marquage du fabricant: IRF510PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 5.6A. Puissance: 43W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 100V
Lot de 1
1.00€ TTC
(0.83€ HT)
1.00€
Quantité en stock : 256
IRF520

IRF520

Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantit...
IRF520
Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 37A. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF520
Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 37A. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
1.28€ TTC
(1.06€ HT)
1.28€
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IRF520NPBF

IRF520NPBF

Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF520NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100...
IRF520NPBF
Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF520NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 9.7A. Puissance: 48W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 100V
IRF520NPBF
Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF520NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 9.7A. Puissance: 48W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 100V
Lot de 1
1.03€ TTC
(0.85€ HT)
1.03€
Quantité en stock : 1188
IRF520PBF-IR

IRF520PBF-IR

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
IRF520PBF-IR
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF520PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF
IRF520PBF-IR
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF520PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF
Lot de 1
1.51€ TTC
(1.25€ HT)
1.51€
Quantité en stock : 116
IRF5210

IRF5210

Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Un...
IRF5210
Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
IRF5210
Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non
Lot de 1
3.25€ TTC
(2.69€ HT)
3.25€
Quantité en stock : 22
IRF5210PBF

IRF5210PBF

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain m...
IRF5210PBF
Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 40A. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V
IRF5210PBF
Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 40A. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V
Lot de 1
3.29€ TTC
(2.72€ HT)
3.29€
Quantité en stock : 37
IRF5210S

IRF5210S

Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 800pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (...
IRF5210S
Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 800pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: F5210S. Dissipation de puissance maxi: 3.8W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
IRF5210S
Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 800pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: F5210S. Dissipation de puissance maxi: 3.8W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
3.46€ TTC
(2.86€ HT)
3.46€
Quantité en stock : 365
IRF5210SPBF

IRF5210SPBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé ...
IRF5210SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5210S. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF5210SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5210S. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
5.53€ TTC
(4.57€ HT)
5.53€
Quantité en stock : 190
IRF530

IRF530

Transistor. C (in): 670pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Uni...
IRF530
Transistor. C (in): 670pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 88W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
IRF530
Transistor. C (in): 670pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 88W. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
1.11€ TTC
(0.92€ HT)
1.11€
Quantité en stock : 57
IRF5305

IRF5305

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Un...
IRF5305
Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non
IRF5305
Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non
Lot de 1
1.73€ TTC
(1.43€ HT)
1.73€
Quantité en stock : 200
IRF5305PBF

IRF5305PBF

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain m...
IRF5305PBF
Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 31A. Puissance: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -55V
IRF5305PBF
Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 31A. Puissance: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -55V
Lot de 1
1.34€ TTC
(1.11€ HT)
1.34€
Quantité en stock : 76
IRF5305SPBF

IRF5305SPBF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé ...
IRF5305SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF5305SPBF
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
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