Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 530pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 3.1A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL2703. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL2703. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL2705. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1A. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 2.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 110pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 85pF. C (out): 34pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Id (T=100°C): 0.93A. Id (T=25°C): 1.2A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 540mW. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: B. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 510pF. C (out): 71pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS H. Marquage sur le boîtier: H. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 350 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 88pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 97pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 633pF. C (out): 145pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 350 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 588 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 633pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23/6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: 2E. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1079pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR024NPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 5V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Série de produits: HEXFET. Polarité: MOSFET N. Vdss (tension drain à source): 55V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 17A. Tension grille/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tension grille/source Vgs (Max): -16V. Max: 45W. Boîtier: DPAK. Type de montage: SMD

ROHS: Oui. Boîtier: TO252AA, DPAK. Puissance: 38W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Tension drain - source: 55V. Courant de drain: 17A. Résistance dans l'état passant: 65m Ohms. Tension grille-source: 16V, ±16V. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Charge: 10nC

Transistor. C (in): 440pF. C (out): 97pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR120NTRPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 75. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Spec info: faible résistance R-on 0.040 Ohms. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non