Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2203NS. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2203NS. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 360A. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2505S. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 3700pF. C (out): 630pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 190A. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL3502. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L3502S. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 3600pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 94us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL3705N. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF

Transistor. C (in): 5890pF. C (out): 3130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Rds très faible. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: résistance passante Rds-on très faible. Id (T=100°C): 170A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Technologie: SMPS MOSFET. Tension Vds(max): 30 v. Remarque: UltraLow Gate

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L3713S. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5890pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 470A. Id (T=100°C): 98A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 140A. Puissance: 200W. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Commande: niveau logique. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 30V

Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 470A. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L3803S. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 7. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 67 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 222 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 19680pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 416W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Remarque: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Technologie: V-MOS TO220A. Tension Vds(max): 100V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L520N. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL530NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L530NS. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 94W. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL540N. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Boîtier (norme JEDEC): 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non