Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLR2905PBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1570pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 22ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 240A. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Equivalences: IRLR2905ZTRPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 11m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LR3410. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 97W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 2900pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 21ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 360A. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 130W. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4380pF. C (out): 940pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 161A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: LR7843. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Fonction: RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1030pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 6.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 340A. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Equivalences: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 4m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4880pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 640A. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 135W. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Série de produits: HEXFET. Polarité: MOSFET N. Vdss (tension drain à source): 55V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 17A. Tension grille/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tension grille/source Vgs (Max): -16V. Max: 45W. Boîtier: IPAK. Type de montage: SMD

Transistor. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 47W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLZ24NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 480pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLZ34NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 880pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Boîtier (norme JEDEC): 30A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 47A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Commande: niveau logique. Courant de drain maxi: 41A. Puissance: 83W. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diode au Germanium: Suppresseur. Courant de collecteur: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Marquage sur le boîtier: V5036P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10.8 ns. Td(on): 7 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AA. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 390V. Tension grille - émetteur VGE: 10V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diode CE: non

Transistor. C (in): 6600pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH13N80. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 4700pF. C (out): 580pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH58N20. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C