Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 4A, 100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB682

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB688. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: B=1000. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF/SL. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD871. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 2A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: TO-126

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN. Fonction: NF

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 50pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Fast-switching. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D13009K. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 490V. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 20. Gain hFE mini: 16. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: 4202BD. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 0.18V. Vebo: 13V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-323, 40mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-323. Courant de collecteur Ic [A], max.: 40mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 5.5V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-18. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non