Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 10pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor pour applications basse puissance. Résistance BE: SOT23. C (in): 0.31W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 6C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V, SOT23, 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-236AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 1B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 200. Courant maximum 1: 0.1A. Tension IGBT VRSM maxi: 450. Information: 200. Série: BC. MSL: 1B

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-70, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-70. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage sur le boîtier: 8AC. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: SMD 8AC. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 250mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 600mV. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 1.5pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V, SOT23, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 200. Courant maximum 1: 0.1A. Tension IGBT VRSM maxi: 0.1A. Information: 0.33W. Série: BC. MSL: composant monté en surface (CMS)

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: DUAL NPN & PNP. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 13. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 13. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP & NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-88, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-88. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP. Boîtier (norme JEDEC): SOT-363. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 13. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.22W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: Oui. Boîtier: SC88, SOT363. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: NPN x2. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Puissance: 200mW

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Dissipation de puissance maxi: 0.225W. Spec info: sérigraphie/code CMS 1G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1K. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Résistance B: transistor pour applications basse puissance. Diode BE: NPN. Résistance BE: SOT23. C (in): 0.25W. C (out): 30V. Diode CE: 30V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1g. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C