Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC547C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC558B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC548B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, TO92, 30V. Boîtier: TO92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 0.625W. Tension base / collecteur VCBO: 30V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Bande passante MHz: 300MHz. Gain hFE min.: 300. Courant maximum 1: 0.1A. Série: BC

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC548C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC549C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): +150°C. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639-16. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639-16. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100V, 1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.8W. Fréquence maxi: 100MHz

Transistor NPN, 100V, 1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Puissance: 0.8W. Fréquence maxi: 50MHz

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6As. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: SMD 6As. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: SMD 6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C