Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BH. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS BH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 1.5A. Remarque: sérigraphie/code CMS BK. Marquage sur le boîtier: BK. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-10. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, SOT89, 80V, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Boîtier: SOT89. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 1W. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 25. Courant maximum 1: 1A. Tension IGBT VRSM maxi: 180 MHz. Information: 1.35W. Série: BCX. MSL: +150°C. Remarque: sérigraphie/code CMS BL. Marquage sur le boîtier: BL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: AK*. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200A. Dissipation de puissance maxi: 0.34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.75V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-18, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-206AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCY59-9. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 3A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 18.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Amplificateurs et applications audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139-10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126 FULLPACK. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 10W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 80V, 1.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 12.5W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126 plastic. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 3mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD179G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.03W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 2A, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD237. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD237G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB. Diode CE: non

Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Résistance B: Puissance. Diode BE: non. Résistance BE: TO220. C (in): 40W. C (out): 115V. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1