Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4650pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 37A. Ic(puls): 100A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 25V

Transistor canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V

Transistor canal N, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 23A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Diode au Germanium: non. Date de production: 2014/17. Courant de collecteur: 54A. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V

Transistor canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 24A. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: G12N60C3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 104W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 165W. RoHS: oui. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS Series IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: G30N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V

Transistor canal N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. Spec info: 463W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V

Transistor canal N, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: non. Type de canal: N. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Marquage sur le boîtier: 40N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 625W. RoHS: oui. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V

Transistor canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V

Transistor canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 285W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 285W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 850pF. C (out): 465pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 58 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 76121D. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, Autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 15A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 750 ns. Td(on): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V

Transistor canal N, Autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 650 ns. Td(on): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V

Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 240pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: VCEsat très faible. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 140A. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: G75H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Délai de livraison: KB. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V

Transistor canal N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1165pF. C (out): 40pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Cuisson par induction. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 45A. Marquage sur le boîtier: H15R1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 254W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.48V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1340pF. C (out): 43pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 90 ns. Fonction: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1500pF. C (out): 55pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Inductive?cooking. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20R1353. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1360pF. C (out): 43pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V