Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1460pF. C (out): 78pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Soft Switching Applications. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20T120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 178W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2589pF. C (out): 77pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Cuisson par induction, applications de commutation. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30R1202. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 390W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 792 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1810pF. C (out): 50pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 310 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, Autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Equivalences: Samsung--DC13-00253A. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 27.4W. RoHS: oui. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 800 ns. Td(on): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V

Transistor canal N, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 860pF. C (out): 55pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute vitesse en technologie NPT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 45A. Marquage sur le boîtier: K15T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1860pF. C (out): 96pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 50A. Ic(puls): 75A. Marquage sur le boîtier: K25T120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1630pF. C (out): 107pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 117 ns. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Marquage sur le boîtier: K30H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 187W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247N. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2330pF. C (out): 185pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: K40H1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 483W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V

Transistor canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 116pF. C (out): 2960pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 130 ns. Tension de seuil de la diode: 1.65V. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 200A. Marquage sur le boîtier: K50H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 333W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V

Transistor canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3140pF. C (out): 200pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 143 ns. Fonction: VCEsat très faible. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: K50T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 333W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V

Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 288pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 182 ns. Fonction: VCEsat très faible. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: K75T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V

Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 650V. C (in): 440pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 19A. Protection G-S: non. Id(imp): 19A. Idss (min): 1uA. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). Marquage sur le boîtier: 6R600E6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 28W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.83 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 18A. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). Marquage sur le boîtier: 8R1K0CE. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V

Transistor canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7500pF. C (out): 1900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 4N03L02. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 136W. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0607. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 215W. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2.8m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3 ( DPAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 8000pF. C (out): 1700pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Protection G-S: non. Id(imp): 400A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 034N06N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2400pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Id(imp): 350A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 050N03L. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 6.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 27uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1900pF. C (out): 760pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Logic Level, Enhancement mode. Protection G-S: non. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: PN03L06. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 136W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V

Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 215W. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 6m Ohms, PG-SOT223. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): PG-SOT223. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 6.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -40...+150°C

Transistor canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Tension Vds(max): 200V. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single FET, Dual Source. Protection G-S: non. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 5. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V