Diodes standard et de redressement

Diode, 5A, 300A, 800V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: diamètre 8mm x 7.5mm. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 10A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ScanSwitch. Remarque: IFSM 100Aps. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalences: MUR1100ERLG. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 1A, 35A, DO-41, CASE 59-10 (7.3x3.4mm), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. IRM (max): 5uA. IRM (min): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C

Diode, 15A, 110A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de récupération ultra-rapide. Remarque: diode ultra-rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.9V

Diode, 15A, 150A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C

Diode, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( 5.0x2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--35App. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. Remarque: cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marquage sur le boîtier: MUR4100E. Equivalences: MUR4100ERLG. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V

Diode, 4A, 125A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 200V. IF(AV): 4A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marquage sur le boîtier: MUR420. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.89V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 600V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: MUR460. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.28V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05, 800V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IRM (max): 900uA. IRM (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: MUR480E. Equivalences: MUR480ERLG. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V

Diode, 60A, 550A, TO-247, TO-247AC, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 550A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: diode à récupération ultra rapide. Marquage sur le boîtier: MUR 6060. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U8100E. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U820. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 800V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U880E. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 1A, 40A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: oui. Diode Tff(25°C): 25 ns. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U1D. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: U1D. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V