Diodes standard et de redressement

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Module de diodes. 'Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)'. IF(AV): 75A. IFSM: 1200A. Remarque: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Remarque: dimensions 92x20.8x30mm. Remarque: module de 2 diodes. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-240. Boîtier (selon fiche technique): TO-240AA. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.58V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. VRRM: 1200V. Spec info: isolation 3600V

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 220 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: module de diode secteur, courant élevé. IF(AV): 880A. IFSM: n/a. Nombre de connexions: 3. Dimensions: 94x34x30mm. Dissipation de puissance maxi: 1100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Isolation électrique: 3600V, 50/60Hz. Technologie: double diode à cathode commune (HiPerFREDTM). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Brochage: vis M6 (x3). Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A

Diode. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Remarque: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Remarque: sérigraphie/code CMS D6. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Marquage sur le boîtier: D6. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension de seuil Vf (max): 1V. VRRM: 100V

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diamètre 8mm x 7.5mm. Quantité par boîtier: 1

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Remarque: ScanSwitch. Remarque: IFSM 100Aps

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast “E” Series with High Reverse. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Equivalences: MUR1100ERLG. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 1000. Spec info: IFSM

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). Température de fonctionnement: -65...+175°C. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: IFSM--35App

Diode. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. IFSM: 110A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.9V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de récupération ultra-rapide. Remarque: diode ultra-rapide. Spec info: Ifsm 110Ap

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: IFSM--35App

Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Structure diélectrique: anode commune. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Marquage sur le boîtier: MUR4100E. Equivalences: MUR4100ERLG. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IF(AV): 4A. IFSM: 125A. Marquage sur le boîtier: MUR420. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Tension de seuil Vf (max): 0.89V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: MUR460. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.28V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. IRM (max): 900uA. IRM (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: MUR480E. Equivalences: MUR480ERLG. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. IF(AV): 60A. IFSM: 550A. Marquage sur le boîtier: MUR 6060. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Remarque: diode à récupération ultra rapide

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: U8100E. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: U820. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: diode de redressement ultra rapide

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: diode de redressement ultra rapide

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: U880E. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide

Diode. Diode Tff(25°C): 25 ns. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: U1D. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1D

Diode. Diode Tff(25°C): 50 ns. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J