Diodes standard et de redressement

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 20A, 500A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 20A. IFSM: 500A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P2000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 9x9mm ), 800V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A08. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8x7.5mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 5A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1200V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A12. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 10A, SOD-323, SOD-323F, 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). Marquage sur le boîtier: EQ. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V

Diode, 1.5A, 50A, DO-41, DO-41 ( 2.7x5.0mm ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 30A, A-405 (5.2x2.7mm), 1000V. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode. Remarque: DAEWOO TV

Diode. Remarque: SONY TV

Diode, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. VRRM: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode à commutation rapide et à récupération rapide. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFMS 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V

Diode, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220F, 530V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 530V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.65V

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Poids: 0.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V

Diode, 2A, 50A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V

Diode, 2A, 60A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V

Diode, 3A, 80A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 0.5A, 20A, DO-15, DO-15 ( 2.7x5.2mm ), 2000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V

Diode, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. Remarque: GI, S. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. Remarque: GI, S. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, DO-204, DO-204AC, 600V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, DO-204, DO-204AC, 1000V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, 100V. IF(AV): 2A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm

Diode, 2A, 200V. IF(AV): 2A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm