Diodes standard et de redressement

Diode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D

Diode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J

Diode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J

Diode. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Diode. Cj: 110pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 20A. IFSM: 500A. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P2000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Diode. Cj: 150pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A08. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9x9mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms)

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8x7.5mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 5A. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A12. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Marquage sur le boîtier: EQ. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V. VRRM: 60V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IFSM: 30A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Boîtier (selon fiche technique): A-405 (5.2x2.7mm)

Diode. Remarque: DAEWOO TV

Diode. Remarque: SONY TV

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. VRRM: 350V. Fonction: diode à commutation rapide et à récupération rapide. Spec info: IFMS 100Ap

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.65V. VRRM: 530V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Poids: 0.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. VRRM: 70V. Spec info: IFMS 50Ap

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V. VRRM: 600V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. VRRM: 1000V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 200V

Diode. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 0.5A. IFSM: 20A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Remarque: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Remarque: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 600V