Diodes standard et de redressement

Diode, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( 5.0x2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--35App. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. Remarque: cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 1000V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marquage sur le boîtier: MUR4100E. Equivalences: MUR4100ERLG. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V

Diode, 4A, 125A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 200V. IF(AV): 4A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marquage sur le boîtier: MUR420. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.89V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 600V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: MUR460. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.28V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05, 800V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IRM (max): 900uA. IRM (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: MUR480E. Equivalences: MUR480ERLG. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V

Diode, 60A, 550A, TO-247, TO-247AC, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 550A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: diode à récupération ultra rapide. Marquage sur le boîtier: MUR 6060. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U8100E. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U820. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V

Diode, TO-220, TO-220AC, 600V, TO-220AC, 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Boîtier: TO-220AC. Courant redressé moyen par diode: 8A. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.5V / 8A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: <500uA / 600V. Temps de récupération inverse (max): 60ns. Information: MUR860. Série: MUR860. MSL: oui

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 800V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U880E. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 1A, 40A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: oui. Diode Tff(25°C): 25 ns. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U1D. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: U1D. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V

Diode, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V, P600, 10A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: P600. Courant redressé moyen par diode: 10A. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.9V / 5A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 25uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: P1000M. Série: P1000. MSL: oui

Diode, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V, 110pF, 20A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: 110pF. Courant redressé moyen par diode: 20A. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: 1500 ns. Type de montage: THT. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: P2000M. Série: 2. MSL: oui

Diode, 1600V, 25A. VRRM: 1600V. Courant redressé moyen par diode: 25A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Type de montage: THT. Temps de récupération inverse (max): 1500ns

Diode, P600, 200V, 6A. Boîtier: P600. VRRM: 200V. Courant redressé moyen par diode: 6A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 5A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 25uA / 200V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série: P600

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 9x9mm ), 800V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A08. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V, P600, 6A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: P600. Courant redressé moyen par diode: 6A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 5A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 25uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 1V @ 5A. Série: P600. MSL: 10uA