Diodes standard et de redressement

Diode, 15A, 200A, TO-220, TO-220AC-2, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast Diode. Remarque: Diode hyper rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V

Diode, 15A, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 30A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. Remarque: Diode hyper rapide. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 30A, 300A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. Marquage sur le boîtier: RHR30120. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 55 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Diode hyper rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V

Diode, 8A, 16A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 16A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: oui. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode hyper rapide. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 2A, 70A, DO-15, DO-15 ( 7.6x3.6mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifier. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 3.5A, 80A, DO-27, DO-27 ( 5.2x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3.5A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: diode de redressement à récupération ultra-rapide. Distance entre connexions (pas): 8x6.5mm. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 50V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 100V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 200V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 600V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 800V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 80A, 500A, TO-247, TO-247-2, 1000V. IF(AV): 80A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 125 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultrarapide. IRM (max): 2mA. IRM (min): 250uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 30A, 325A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 325A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Diode. Nombre de connexions: 2. Spec info: pinout--1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 16A, 150A, TO-220, TO-220AB, 40V. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 40V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Remarque: double diode au silicium. Remarque: Ifsm 150A/10ms. Nombre de connexions: 3. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V

Diode, 100V, 1A. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.1V / 1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <50uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série: S1

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.8us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement à usage général. Remarque: sérigraphie/code CMS 1M. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. Marquage sur le boîtier: 1 M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 100V, 2A. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 2A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.15V / 2A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <100uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série: S2

Diode, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, oui, 1000V, 2A. Boîtier: oui. VRRM: 1000V. Courant redressé moyen par diode: 2A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.15V / 2A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <100uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 1.15V @ 2A. Série: S2. MSL: 5uA..100uA

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 4.2x4.3mm. Remarque: 50App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, oui, 1000V, 3A. Boîtier: oui. VRRM: 1000V. Courant redressé moyen par diode: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.15V / 3A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: <200uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 1.15V @ 3A. Série: S3. MSL: 5uA..200uA

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO214AA, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.15V