Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO214AA, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.15V

Diode, 5A, 180A, DO-214, SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 180A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redressement secteur 50/60 Hz. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: S5M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 100V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V

Boîtier: DO15. Type de diode: diode de redressement Schottky. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 30V. Courant: 1A. Capacité: 110pF. Structure semi-conductrice: diode. Courant d'impulsion max.: 40A

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): soudure sur circuit imprimé. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 90V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 100V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: diode de redressement Schottky. Remarque: IFSM--50Ap/10mS. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.79V

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Remarque: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 15A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. Remarque: Total IF(AV) 2ch 30A. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 4.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.001mA. Marquage sur le boîtier: SB3200. Equivalences: Vishay--VSB3200. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.68V

Boîtier: DO201. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 40V. Conditionnement: Ammo Pack

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 90V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Tension directe Vfmax (V): 0.79V @ 5A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.6mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 150V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 50mA. IRM (min): 8uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 125Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 200V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 40V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 50V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 50V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.67V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. If [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Tension directe Vfmax (V): 0.85V @ 10A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 300uA..7mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 30A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: SMPS DIODE. Remarque: double diode au silicium. Remarque: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Nombre de connexions: 3. Spec info: diode de redressement Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 30A, 300A, P-600, P600 ( 8x7.5mm ), 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: P-600. Boîtier (selon fiche technique): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.3mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.42V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Remarque: GI, S. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 2A, 75A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V

Diode, 2A, 75A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 400V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V