Diodes standard et de redressement

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 50V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 100V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 200V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 600V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 800V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 80A, 500A, TO-247, TO-247-2, 1000V. IF(AV): 80A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 125 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 2mA. IRM (min): 250uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Fonction: diode ultrarapide

Diode, 30A, 325A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 325A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Diode. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: pinout--1

Diode, 16A, 150A, TO-220, TO-220AB, 40V. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 40V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: Ifsm 150A/10ms. Unité de conditionnement: 50. Remarque: double diode au silicium

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.8us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement à usage général. Remarque: sérigraphie/code CMS 1M. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. Marquage sur le boîtier: 1 M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Diode, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1500V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 4.2x4.3mm. Remarque: 50App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..200uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO214AA, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.15V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode, 5A, 180A, DO-214, SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 180A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redressement secteur 50/60 Hz. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: S5M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 100V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Boîtier: DO15. Type de diode: diode de redressement Schottky. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 30V. Courant: 1A. Capacité: 110pF. Structure semi-conductrice: diode. Courant d'impulsion max.: 40A

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): soudure sur circuit imprimé. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Diode, 1A, 40A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 90V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 100V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. Remarque: IFSM--50Ap/10mS

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Diode, 15A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms