Diodes standard et de redressement

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. RoHS: oui. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): SMA. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tension directe Vfmax (V): 0.7V @ 2A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.4mA..10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Diode, 3A, 80A, DO-214, DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm, 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Equivalences: SS34B. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm, 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Equivalences: SS34-E3/9AT. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 3A, 80A, SOD-123, 425AB SMA (3.8x1.9mm), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 12 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Remarque: sérigraphie/code CMS 34L. IRM (max): 60mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: 34L. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Equivalences: SS36-E3/9AT. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V

Diode, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--80A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-123. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tension directe Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..4mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 75A. Tension directe Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 6mA...15mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 10A/diode, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 10A/diode. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Remarque: double diode au silicium. Remarque: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.65V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V

Diode, 20A, 250A, TO-220FP, TO-220FP, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: IFSM--250Ap. IRM (max): 2mA. IRM (min): 4.5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: tension d'isolation 2000VDC, capacité 45pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V

Diode, 10A, 250A, TO-220, TO-220AB, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 4.5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V

Diode, 2A, 10A, 50A / 10mS, DO-41, DO-41, 100V. IF(AV): 2A. IF(RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V

Diode, 2A, 75A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky de puissance. faible chute de tension. Remarque: sérigraphie/code CMS GD4. IRM (max): 80mA. IRM (min): 220uA. Marquage sur le boîtier: GD4. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 0.39V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V

Diode, 30A, 220A, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 30A. IFSM: 220A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 11mA. IRM (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 15A, 250A, TO-220, TO-220AB, 100V. IF(AV): 15A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.64V

Diode, 5A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252A ( Dpak ), 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 4.5mA. IRM (min): 3.5uA. Marquage sur le boîtier: S5H100. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 75App/10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V

Diode, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 40V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Redresseur de puissance Schottky. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 0.2mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 150App / 10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V

Diode, 30A, 270A, TO-220, TO-220AB, 170V. IF(AV): 30A. IFSM: 270A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 170V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Remarque: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.97V

Diode, 8A, TO-220, TO-220AC, 100V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: 'High Voltage Power Schottky'. Remarque: 250App/10ms. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 12A, 110A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 12A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 5A, 55A, TO-220FP, ISOWATT TO-220AC, 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 55A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra-fast diode. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 5A, 45A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 5A. IFSM: 45A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 45 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide, haute tension. IRM (max): 0.3mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Spec info: IFSM--45Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.35V

Diode, 12A, 80A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 12A. IFSM: 80A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 48 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marquage sur le boîtier: STTH1210D. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V