Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 4.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.001mA. Marquage sur le boîtier: SB3200. Equivalences: Vishay--VSB3200. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.68V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Boîtier: DO201. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 40V. Conditionnement: Ammo Pack

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201 ( 4.5x7.5mm ), 90V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): diode de redressement Schottky. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.6mA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.79V @ 5A

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 150V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 50mA. IRM (min): 8uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 125Ap

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 200V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 0.1mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 40V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 40V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 50V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 50V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.67V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Diode. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. If [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 300uA..7mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.85V @ 10A. Famille de composants: double diode de redressement Schottky

Diode, 30A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: SMPS DIODE. Remarque: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Unité de conditionnement: 30. Remarque: double diode au silicium. Spec info: diode de redressement Schottky

Diode, 30A, 300A, P-600, P600 ( 8x7.5mm ), 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: P-600. Boîtier (selon fiche technique): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.3mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.42V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI, S. Quantité par boîtier: 1

Diode, 2A, 75A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Diode, 2A, 75A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 400V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD, 300V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (9.1x9.1mm), 600V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: miniMELF. Boîtier (norme JEDEC): SOD-80. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 1A. Ifsm [A]: 10A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.5V @ 1A

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMB, DO-214AA, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 55A. Tension directe Vfmax (V): 0.85V @ 2A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. Marquage sur le boîtier: SK24A. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ), 60V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. Marquage sur le boîtier: SK26A. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 100A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..20mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.75V @ 3A

Diode, 5A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm, 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Cj: 200pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Nombre de connexions: 2. Autre nom: SK510C. Marquage sur le boîtier: SK510. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-123FL. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 1A. Ifsm [A]: 22A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 200uA..2mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.55V @ 1A

Diode, 165A, 2500A, DO-205, DO-205, 1200V. IF(AV): 165A. IFSM: 2500A. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205. VRRM: 1200V. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseur de puissance universel. Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -40...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Remarque: filetage M12, oeillet 8.2mm. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: boîtier fileté - Anode (courant élevé)