Transistors

Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD120PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF

Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. C (in): 22pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 8.8A. Id (T=100°C): 0.8A. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 1.1A. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: DIP-4. Tension drain - source (Vds): -60V

Transistor. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: FET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 13A. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: HD-1. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9024PBF. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 5.6A. Id (T=100°C): 0.49A. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9110PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Boîtier (norme JEDEC): 1.2 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.34A. Id (T=25°C): 0.56A. Idss (maxi): 0.56A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: HD-1. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI3205PBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 63W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 29A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 37W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI520GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 37W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI530GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI540GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 54W. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFI630G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI630GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI640GPBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Remarque: Viso 2500V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non