Transistors

Transistor. C (in): 2830pF. C (out): 3310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Dissipation de puissance maxi: 220W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2870pF. C (out): 3480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 92A. Id (T=100°C): 17A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: B23N15D. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4220pF. C (out): 580pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB260N. Dissipation de puissance maxi: 380W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 375W. Résistance passante Rds On: 0.0021 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 9400pF. C (out): 820pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 850A. Id (T=100°C): 150A. Id (T=25°C): 210A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 370W. Résistance passante Rds On: 0.0028 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 69 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6540pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 840A. Id (T=100°C): 150A. Id (T=25°C): 210A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6920pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 670A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6920pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 670A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: FB3207. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4520pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 31 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4750pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 512A. Id (T=100°C): 90A. Id (T=25°C): 128A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 310A. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. C (in): 3070pF. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 74pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Id(imp): 51A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 80W. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 91pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7.8 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 9620pF. C (out): 670pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 670A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 370W. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Poids: 1.99g. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 490pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 86 ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 380W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Poids: 1.99g. C (in): 5270pF. Id(imp): 420A. Résistance passante Rds On: 0.0093 Ohms. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 19.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4530pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 330A. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur audio de classe D 300W-500W (demi-pont). Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3430pF. C (out): 530pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB42N20D. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4820pF. C (out): 340pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 390A. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 97A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4410ZPBF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.072 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7670pF. C (out): 540pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 550A. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4310. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 300A. Id (T=100°C): 53A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FB4710. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFB4710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 2770pF. C (out): 590pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 51A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB52N15D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: convertisseurs DC-DC haute fréquence, écran plasma. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non