Transistors

Transistor. Type de transistor: transistor IGBT. Tension drain - source: 1200V. Courant de collecteur: 50A. Puissance: 326W. Boîtier: TO-247AC

Transistor. C (in): 4620pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 140A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: G75H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Délai de livraison: KB. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1165pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Cuisson par induction. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marquage sur le boîtier: H15R1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 254W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.48V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1340pF. C (out): 43pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 90 ns. Fonction: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Inductive?cooking. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20R1353. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1360pF. C (out): 43pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1460pF. C (out): 78pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Soft Switching Applications. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20T120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 178W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2589pF. C (out): 77pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: H30R1202. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 390W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 792 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: Cuisson par induction, applications de commutation. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1810pF. C (out): 50pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: H30PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 310 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.95V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 600V. Courant de collecteur: 40A. Puissance: 305W. Boîtier: TO-247AC

Transistor. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Equivalences: Samsung--DC13-00253A. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 27.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 800 ns. Td(on): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 600V. Courant de collecteur: 24A. Puissance: 110W. Boîtier: TO-220AB

Transistor. C (in): 860pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute vitesse en technologie NPT. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marquage sur le boîtier: K15T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de transistor: transistor IGBT. Tension drain - source: 1200V. Courant de collecteur: 50A. Puissance: 326W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K25T1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Courant de collecteur maxi (A): 100A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1860pF. C (out): 96pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Courant de collecteur: 50A. Ic(puls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Marquage sur le boîtier: K25T120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1630pF. C (out): 107pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 117 ns. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: K30H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 187W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2330pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Marquage sur le boîtier: K40H1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 483W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247N. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Courant de collecteur: 82A. Puissance: 428W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui

Transistor. C (in): 116pF. C (out): 2960pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 130 ns. Tension de seuil de la diode: 1.65V. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marquage sur le boîtier: K50H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 333W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 3140pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 143 ns. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Marquage sur le boîtier: K50T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 333W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 4620pF. C (out): 288pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 182 ns. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: K75T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Transistor. C (in): 440pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). Marquage sur le boîtier: 6R600E6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 10uA. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). Marquage sur le boîtier: 8R1K0CE. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 32W. Résistance passante Rds On: 0.83 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non