Transistors

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Id (T=25°C): 10A. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ifsm--30App. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide

Transistor. C (in): 5300pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Nombre de connexions: 35. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 74pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 1790A. Ic(puls): 2400A. Ic(T=100°C): 1200A. Dissipation de puissance maxi: 7150W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension de seuil Vf (max): 2.35V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Nombre de connexions: 7. Fonction: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT458. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.3A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT558. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT849. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT949. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Spec info: tension de saturation très faible

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 39W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Protection G-S: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Courant de collecteur: 3A. Remarque: hFE 100...400. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Spec info: TO-92

Transistor. C (in): 1450pF. C (out): 450pF. Type de canal: P. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1C ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Nombre de connexions: 3. Fonction: transistor IGBT MOS canal P. Spec info: amplificateur audio. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 4650pF. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Courant de collecteur: 37A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA hi-res (F). Courant de collecteur: 24A. Ic(puls): 36A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 0.17...0.31us. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 12N60A4. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 54A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 167W. Courant de collecteur maxi (A): 96A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Date de production: 2014/17. Courant de collecteur: 54A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: G12N60C3D. Dissipation de puissance maxi: 104W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C