Transistors

Transistor. C (in): 4200pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. Id (T=100°C): 14.9A. Id (T=25°C): 23.5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1250pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Id (T=100°C): 23.3A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 227W. Résistance passante Rds On: 0.067 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 40nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2550pF. C (out): 710pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 198 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 144A. Id (T=100°C): 25.5A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 294W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (81nC typique). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4830pF. C (out): 945pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 62A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 298W. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Id (T=100°C): 49.5A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (85nC typique). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA9N90C. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: oui. Poids: 4.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-3P. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQAF11N90C. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 30. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 102A. Id (T=100°C): 19.1A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 670pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 62.4A. Id (T=100°C): 9.8A. Id (T=25°C): 15.6A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Equivalences: FQD19N10LTM. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 96A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 30N06L. Dissipation de puissance maxi: 44W. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 220pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. Id (T=25°C): 23.2A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FQD7N10L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Id (T=100°C): 3.67A. Fonction: Faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1

Transistor. C (in): 345pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. Id (T=100°C): 9.05A. Id (T=25°C): 12.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: oui. Poids: 2.07g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Fonction: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 195W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 310pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 66A. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 16.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 19A. Dissipation de puissance maxi: 139W. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, td(on)15ns, td(off)135ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET)

Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. Id (T=100°C): 1.71A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 85W. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 425pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. Id (T=100°C): 30.8A. Id (T=25°C): 43.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 146W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 182A. Id (T=100°C): 32.2A. Id (T=25°C): 45.6A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 210W. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Spec info: niveau logique

Transistor. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non